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NGB8202NT4价格
参考价格:¥7.1601
型号:NGB8202NT4G 品牌:ON 备注:这里有NGB8202NT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NGB8202NT4批发/采购报价,NGB8202NT4行情走势销售排行榜,NGB8202NT4报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NGB8202NT4 | 20 A, 400 V, N-Channel D2PAK 文件:114.36 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NGB8202NT4 | Ignition IGBT 文件:144.89 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NGB8202NT4 | 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 440V 20A 150W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | ||
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 440V 20A 150W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK 文件:124.89 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Ignition IGBT 文件:144.89 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |
NGB8202NT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
NGB8202NT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 20A 400V Ignition
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ON |
2016+ |
TO263 |
12733 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-263 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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ON |
2018+ |
TO-263 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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ON |
24+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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ON |
25+23+ |
TO-263 |
18997 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ON |
6000 |
面议 |
19 |
SOT-263 |
NGB8202NT4规格书下载地址
NGB8202NT4参数引脚图相关
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2022-7-27NGTB50N120FL2WG ON/安森美
www.hfxcom.com
2021-12-7NGTB40N120FL3WG
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2020-9-16
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