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NGB8202NT4G价格
参考价格：￥7.1601
型号：NGB8202NT4G 品牌：ON 备注：这里有NGB8202NT4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NGB8202NT4G批发/采购报价，NGB8202NT4G行情走势销售排行榜，NGB8202NT4G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NGB8202NT4G | Ignition IGBT 文件：144.89 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NGB8202NT4G | Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK 文件：124.89 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NGB8202NT4G | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 440V 20A 150W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Ignition IGBT 文件：144.89 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
20 A, 400 V, N-Channel D2PAK 文件：114.36 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NGB8202NT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NGB8202NT4G
- 功能描述
IGBT 晶体管 20A 400V Ignition N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
115 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON |
2016+ |
TO263 |
12733 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
16/15 |
TO-263 |
12800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
2018+ |
TO-263 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ON |
25+23+ |
TO-263 |
18997 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
NGB8202NT4G规格书下载地址
NGB8202NT4G参数引脚图相关
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NFE31PT471F1E9L
2022-7-27NGTB50N120FL2WG ON/安森美
www.hfxcom.com
2021-12-7NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG
2021-7-21NG80960KA20
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2020-9-16
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