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位置：NGB8202NT4G > NGB8202NT4G详情

NGB8202NT4G中文资料

NGB8202NT4G
厂家型号

NGB8202NT4G
文件大小

144.89Kbytes
页面数量

7页
功能描述

Ignition IGBT

IGBT 晶体管 20A 400V Ignition N-Channel
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NGB8202NT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGB8202NT4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 20A 400V Ignition N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

NGB8202NT4G供应商...

更新时间：2026-2-12 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
NGB8202NT4G
onsemi
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NGB8202NT4G 价格

参考价格：￥7.1601

型号：NGB8202NT4G 品牌：ON 备注：这里有NGB8202NT4G多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NGB8202NT4G批发/采购报价，NGB8202NT4G行情走势销售排排榜，NGB8202NT4G报价。

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