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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-10-31 17:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
xilinx
22+
SMD
6800
TOSHIBA/东芝
23+
1200
全新原装现货,价格优势
TOSHIBA
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA
23+
高频管
850
专营高频管模块,全新原装!
台湾寰达/DIPTRONICS
2450+
DIP
6540
只做原厂原装现货或订货假一赔十!
TIM
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
CRRC/中车
24+
MODULE
1000
全新原装现货
台湾寰达/DIPTRONICS
22+
DIP
2500
原装现货
TOSHIBA/东芝
24+
100
现货供应

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