型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Surface Mount Fuses - Thin-Film Surface Mount

文件:51.36 Kbytes Page:1 Pages

LITTELFUSE

力特

433 High Temperature Aluminium Foil Tape

文件:48.7 Kbytes Page:3 Pages

3M

Ultra Low Jitter 1pS

文件:134.52 Kbytes Page:2 Pages

OSCILENT

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-4, DC - 8.0 GHz

文件:309.4 Kbytes Page:6 Pages

HITTITE

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-4, DC - 8 GHz

文件:228.15 Kbytes Page:6 Pages

HITTITE

更新时间:2026-3-13 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
T
23+
SMD
5000
全新原装假一赔十
DP
20+
NS
26000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CITEC
24+/25+
67
原装正品现货库存价优
ITT CANNON
2450+
DIP
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
ROHM/罗姆
22+
SOT-223
20000
只做原装
LITTLEFUSE
24+
原厂原封
2000
原装正品
HTC
RJ45 全塑 无灯 8针 网络接口 镀
69810
一级代理百分百有货,原装正品现货,支持实单!
LITTELFUSE
25+
49
公司优势库存 热卖中!
BB
2138+
DIP
8960
专营军工产品,进口原装
CITEC
23+
NA
152
专做原装正品,假一罚百!

NEC433数据表相关新闻

  • NE8FDP-B-TOP

    NE8FDP-B-TOP

    2024-6-28
  • NEO-F10T-00B

    进口代理

    2024-2-27
  • NEO-F10N-00B

    进口代理

    2024-2-27
  • NEMEME001

    NEMEME001

    2023-3-16
  • NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源

    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点

    2013-1-14
  • NE56631-30D-低有效的系统复位

    NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压

    2012-11-18