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NE8500295-6	2WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE8500295powerGaAsFETcovers3.5to8.5GHzfrequencyrangewiththreedifferentClassA,2.0Wpartiallymatcheddevices.Eachpackageddevicehasaninputlumpedelementmatchingnetwork. NE8500200isthesix-cellsrecessedgatechipusedin‘95’package. Thedeviceincorpo	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE8500295-6	GaAsMESFET DESCRIPTION TheNE8500295powerGaAsFETcovers3.5to8.5GHzfrequencyrangewiththreedifferentClassA,2.0W partiallymatcheddevices.Eachpackageddevicehasaninputlumpedelementmatchingnetwork. NE8500200isthesix-cellsrecessedgatechipusedin‘95’package. Thedeviceincorp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE8500295-6	2WATTC-BANDPOWERGaAsMESFET 文件：60.23 Kbytes Page：6 Pages	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE8500295-6	2WATTC-BANDPOWERGaAsMESFET 文件：61.08 Kbytes Page：6 Pages	CEL California Eastern Laboratories

NE8500295-6产品属性

类型
描述
型号
NE8500295-6
功能描述
射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
RoHS
否
制造商
TriQuint Semiconductor
技术类型
pHEMT
频率
500 MHz to 3 GHz
增益
10 dB
噪声系数
正向跨导
gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压
- 8 V
漏极连续电流
3 A
最大工作温度
+ 150 C
功率耗散
10 W

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更新时间：2024-5-10 11:19:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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