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NE6501077

10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

NEC

瑞萨

NE6501077

GaAs MES FET

10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE6501077 is power GaAs FET which provides high gain, high efficiency and high output power in L, S band. To reduce thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. FEATURES • Class A operation • H

RENESAS

瑞萨

NE6501077

L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

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CEL

California Eastern Labs

L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

DESCRIPTION The NE6501077 is a medium power GaAs MESFET designed for up to a 10 W output stage or as a driver for high power devices. The device has no internal matching and can be used from UHF frequencies up to 3.0 GHz. The chips used in this series offer superior reliability and consistent per

CEL

California Eastern Labs

NE6501077产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE6501077

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-8-18 15:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
21+
SMD
10000
原装现货假一罚十
原厂正品
23+
SMT
5000
原装正品,假一罚十
S
25+
DIP16
3965
全新原装正品支持含税
NEC
24+
2789
全新原装自家现货!价格优势!
NEC
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
PHI
23+
DIP
12300
PHI
24+
QFP-100
3378
绝对原装公司现货供应!价格优势
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
NEC
原厂封装
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
PHI
23+
DIP 16
26520
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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