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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE650103M

N-CHANNEL GaAs MES FET

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion. Reli

RENESAS

瑞萨

NE650103M

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

文件：259.51 Kbytes Page：7 Pages

CEL

California Eastern Labs

NE650103M-A

N-CHANNEL GaAs MES FET

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion. Reli

RENESAS

瑞萨

NE650103M-A

封装/外壳：SOT-445 变式 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Labs

NE650103M-A

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

文件：259.51 Kbytes Page：7 Pages

CEL

California Eastern Labs

NE650103M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE650103M

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

NE650103M供应商更多...

更新时间：2025-8-17 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市永贝尔科技有限公司
NE650103M
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
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深圳市得捷芯城科技有限公司
NE650103M-A
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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04+PB
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深圳市振宏微科技有限公司
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NEC
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振宏微原装正品,假一罚百
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上海金庆电子技术有限公司
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深圳市百诺芯科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市中拓海外电子有限公司
NE6501077
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90
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深圳市河锋鑫科技有限公司
NE650103MA
CEL
22+
3M
9000
原厂渠道,现货配单
询价

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