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位置：首页 > IC中文资料第815页 > NE650103M

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE650103M

N-CHANNELGaAsMESFET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE650103M

10WL&S-BANDPOWERGaAsMESFET

文件：259.51 Kbytes Page：7 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE650103M-A

N-CHANNELGaAsMESFET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NE650103M-A

封装/外壳：SOT-445 变式 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE650103M-A

10WL&S-BANDPOWERGaAsMESFET

文件：259.51 Kbytes Page：7 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

NE650103M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE650103M

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

NE650103M供应商更多...

更新时间：2024-5-21 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市东来宝电子科技有限公司
NE650103M-A
NEC
22+
3M
57455
郑重承诺只做原装进口货
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深圳好佳好科技有限公司
NE6501077
NEC
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深圳市永贝尔科技有限公司
NE650103M
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华富测量(深圳)传感技术有限公司
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深圳市星佑电子有限公司
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3M
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深圳市星宇佳科技有限公司
NE650103M-A
NEC
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NE650103M-A
NEC
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深圳兆威电子有限公司
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深圳市豪迈兴电子有限公司
NE650103M
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司
NE650103M
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23+
SOP-8
18000
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