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10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication
base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and
low distortion.
Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.
FEATURES
• High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.
• High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.
• High power added efficiency: ηadd = 45 TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz
NE650103M产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE650103M
- 功能描述
射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂正品 |
23+ |
十字架 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
NEC |
24+ |
3M |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
|||
NEC |
2138+ |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
||||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
NEC |
21+ |
3M |
20000 |
全新原装 公司现货 价优 |
|||
NEC |
23+ |
3M |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
21+ |
3M |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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- P96
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 113900条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
