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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE6500496 | 4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 |   | |
NE6500496 | GaAs MES FET 4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE6500496 is power GaAs FET which provides high gain, high efficiency and high output power in L, S band. To reduce thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. FEATURES • Class A operation • H | RENESAS 瑞萨 | | |
NE6500496 | L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET | RENESAS 瑞萨 | | |
L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET DESCRIPTION The NE6500496 is a medium power GaAs MESFET designed for up to a 4 W output stage or as a driver for high power devices. The device has no internal matching and can be used from UHF frequencies up to 3.0 GHz. The chips used in this series offer superior reliability and consistent perf | NEC 瑞萨 | |
NE6500496产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE6500496
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
3257 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
25+ |
SOP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
NEC |
24+ |
265 |
现货供应 |
||||
NEC |
2138+ |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
||||
NEC |
04+PB |
3M |
776 |
||||
PHI |
NEW |
DIP |
12300 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
NEC |
24+ |
SO86 |
3000 |
全新原装现货 优势库存 |
|||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
CEL |
25+ |
SOT-445 变式 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
NEC |
21+ |
3M |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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2013-3-7NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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