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NE5520279A-T1	SILICON POWER MOS FET 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5520279A-T1	NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET 文件：166.31 Kbytes Page：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE5520279A-T1	NECs 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET	CEL	CEL
NE5520279A-T1A	SILICON POWER MOS FET 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5520279A-T1-A	3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our WSi gate laterally diffused MOS FET) and housed in a surface mount package	CEL	CEL

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更新时间：2025-12-2 23:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NE5520379A	NEC	24+	NA/	6050	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NE5520279A-T1-A	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	9428	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NE5520279A-T1	RENESAS	24+	79A	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NE5520279A-T1-A	NEC	0746+		900	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	NE5520279A-T1-A	NEC	24+	PBF	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	NE5520379A-A	NEC	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	NE5520379A-A	Renesas	21+	-	20	只做原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	NE5520379A-T1	NEC	25+		2789	全新原装自家现货!价格优势!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	NE5520379A-A	RENESAS	25+23+	NA	25249	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NE5520379A	NEC	22+	SMD	3000	原装正品,支持实单	询价

NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14
NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）详细描述通用-放大
2021-12-6
NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17
NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17
NE3512S02-T1D
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2019-3-22