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NE5500134-A

RF & Microwave device

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RENESAS

瑞萨

NE5500134-A

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RENESAS

瑞萨

SILICON POWER MOS FET

N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology

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SILICON POWER MOS FET

N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR 0.8 TO 2.0 GHz CELLULAR HANDSETS DESCRIPTION The NE5500134 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 0.8 to 2.0 GHz cellular handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology

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更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
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1000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Renesas
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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RENESAS/瑞萨
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原装正品,假一罚十

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    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

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  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

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