| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NE500100 | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package. The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the the | NEC 瑞萨 |   | |
NE500100 | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET | RENESAS 瑞萨 | | |
Schottky PowerMod ● Schottky Barrier Rectifier ● Guard ring protection ● 500 Amperes/ 80 to 100 Volts ● 175°C junction temperature ● Reverse energy tested ● ROHS Compliant | MICROSEMI 美高森美 | | ||
High-Side Current Sensor for Wireless Charging 文件：332.41 Kbytes Page：18 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Schottky PowerMod 文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHI |
DIP |
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
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2019-3-22
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