| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE500100 | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package. The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the the | NEC 瑞萨 |   | |
NE500100 | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET | RENESAS 瑞萨 | | |
Schottky PowerMod ● Schottky Barrier Rectifier ● Guard ring protection ● 500 Amperes/ 80 to 100 Volts ● 175°C junction temperature ● Reverse energy tested ● ROHS Compliant | MICROSEMI 美高森美 | | ||
High-Side Current Sensor for Wireless Charging 文件：332.41 Kbytes Page：18 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Schottky PowerMod 文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | ||
Schottky PowerMod 文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
CDIP16 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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PH |
26+ |
TQFP |
890000 |
一级总代理商原厂原装大批量现货
一站式服务 |
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PHI |
CDIP16 |
88+ |
7 |
全新原装进口自己库存优势 |
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SIGNETICS |
2450+ |
DIP |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
|||
SIGNETI |
24+ |
DIP16 |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
Sig |
24+ |
DIP |
3000 |
公司存货 |
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PHI |
DIP |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
PH |
23+ |
DIP-18 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
NS/美国国半 |
25+ |
DIP |
360 |
全新原装正品支持含税 |
|||
PHI |
24+ |
SOP |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-3-22
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