型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MBR500100CT

HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS

Features • High Surge Capability • Types Up to 100V VRRM

AMERICASEMI

MBR500100CT

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

MBR500100CT

Schottky PowerMod

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MICROSEMI

美高森美

MBR500100CT

封装/外壳:双塔架 包装:散装 描述:DIODE MODULE 100V 250A 2TOWER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

GENESIC

HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS

Features • High Surge Capability • Types Up to 100V VRRM

AMERICASEMI

High Surge Capability

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GENESIC

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

封装/外壳:双塔架 包装:散装 描述:DIODE MODULE 100V 250A 2TOWER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

GENESIC

Schottky Rectifiers

NAVITAS

纳微半导体

Schottky PowerMod

● Schottky Barrier Rectifier ● Guard ring protection ● 500 Amperes/ 80 to 100 Volts ● 175°C junction temperature ● Reverse energy tested ● ROHS Compliant

MICROSEMI

美高森美

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package. The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the the

NEC

瑞萨

High-Side Current Sensor for Wireless Charging

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TI

德州仪器

Schottky PowerMod

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MICROSEMI

美高森美

MBR500100CT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBR500100CT

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A100P/70R

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-3-15 14:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
GeneSiC
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
GeneSiC Semiconductor
22+
Twin Tower
9000
原厂渠道,现货配单
DACO
24+
MODULE
1000
全新原装现货
PD
2026+
原厂原封可拆样
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
GeneSiC Semiconductor
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IXFN
2023+
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GENESIC
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双塔架
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