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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE34018-T1 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION NE34018 is a n-channel HJ-FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.6 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 16 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width: Wg = 400 μm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available | NEC 瑞萨 |   | |
NE34018-T1 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Low noise figure: NF = 0.6 dB TYP. @ f = 2 GHz • High associated gain: Ga = 16 dB TYP. @ f = 2 GHz • Gate width: Wg = 400 mm • 4-pin super minimold package • Tape & reel packaging only available | RENESAS 瑞萨 | | |
NE34018-T1 | 封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：托盘 描述：FET RF 4V 2GHZ SOT-343 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Labs | | |
封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：托盘 描述：FET RF 4V 2GHZ SOT-343 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Labs | |
NE34018-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE34018-T1
- 功能描述
MOSFET L-S Band Lo No Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
4927 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NA |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
NEC |
1434 |
3 |
675 |
||||
NEC |
25+ |
SoT343 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
NEC |
17+ |
SOT-343 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
NEC |
25+ |
SOT-343 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
原厂正品 |
23+ |
SOT-343 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
NEC |
16+ |
SOT-343 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
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NE3512S02-T1C-A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512
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2019-3-22NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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