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NE34018-T1-A

封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:托盘 描述:FET RF 4V 2GHZ SOT-343 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Labs

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION NE34018 is a n-channel HJ-FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.6 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 16 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width: Wg = 400 μm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available

NEC

瑞萨

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Low noise figure: NF = 0.6 dB TYP. @ f = 2 GHz • High associated gain: Ga = 16 dB TYP. @ f = 2 GHz • Gate width: Wg = 400 mm • 4-pin super minimold package • Tape & reel packaging only available

RENESAS

瑞萨

NE34018-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE34018-T1-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-8-18 16:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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