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NE34018-T1中文资料

厂家型号

NE34018-T1

文件大小

250.2Kbytes

页面数量

18

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOSFET L-S Band Lo No Amp

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE34018-T1数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low noise figure: NF = 0.6 dB TYP. @ f = 2 GHz

• High associated gain: Ga = 16 dB TYP. @ f = 2 GHz

• Gate width: Wg = 400 mm

• 4-pin super minimold package

• Tape & reel packaging only available

NE34018-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE34018-T1

  • 功能描述

    MOSFET L-S Band Lo No Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
25+
SOT343
18193
RENESAS/瑞萨原装特价NE34018-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货
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