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NDSH10120C-F155

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,10A,1200V,D3,TO-247-2L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-8-3 12:00:00
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