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位置：首页 > IC中文资料第3377页 > NDP605

NDP605价格

参考价格：￥14.0253

型号：NDP605A 品牌：National 备注：这里有NDP605多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDP605批发/采购报价，NDP605行情走势销售排行榜，NDP605报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NDP6050

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, a

Fairchild

仙童半导体

NDP6050

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NDP6050L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NDP6050L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching pe

Fairchild

仙童半导体

NDP6051

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, a

Fairchild

仙童半导体

NDP6051

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NDP6051

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.022Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NDP6051

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：280.05 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

NDP605A

N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor

TI

德州仪器

NDP605A

N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor

文件：121.5 Kbytes Page：3 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

NDP605A

N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor

文件：184.52 Kbytes Page：6 Pages

NSC

国半

NDP605A

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.31345 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDP605A

Trans MOSFET N-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220

ETC

知名厂家

NDP605AL

Trans MOSFET N-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220

ETC

知名厂家

NDP605B

N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor

文件：184.52 Kbytes Page：6 Pages

NSC

国半

NDP605B

N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor

文件：121.5 Kbytes Page：3 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

605A

TREK 605A

PRODUCT HIGHLIGHTS  Line and load regulation better than 0.002%  Automatic current limit feature to protect the instrument from output short circuits or overloads  Remote high voltage on/off feature ideal for use with automated or computercontrolled systems

ADVANCEDENERGY

先进能源工业

605

3M??Scotch짰 Transparent Film Tape

文件：571.85 Kbytes Page：5 Pages

3M

605F

DC axial compact fan

文件：299.98 Kbytes Page：4 Pages

EBMPAPST

依必安派特

605F

Two Terminal Metal Element Current Sense

文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages

OHMITE

605FE

Two Terminal Metal Element Current Sense

文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages

OHMITE

NDP605产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDP605

  • 功能描述

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NDP605供应商更多...

更新时间：2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
NDP6051
NS/国半
24+
NA/
16706
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
NDP6051
ON
NEW
TO-220
35890
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
NDP605AL
NATIONAL/TI
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市中联芯电子有限公司
NDP6051-VB
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO220
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
询价
深圳市创盛芯科技有限公司
NDP605B
HARRIS/哈里斯
25+
TO220-3
45
全新原装正品支持含税
询价
深圳市一线半导体有限公司
NDP6051
NSC
24+
TO-220
7100
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
NDP6051
原装
25+
TO-220
20300
原装特价NDP6051即刻询购立享优惠#长期有货
询价
深圳市赛尔通科技有限公司
NDP6051
NS
23+
TR3
65480
询价
深圳市威雅利发展有限公司
NDP6051
VBsemi
21+
TO220
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
NDP6051
F
22+
TO-220AB
6000
十年配单,只做原装
询价

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