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RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SupIR-SMD™)200V,56A,N-channel,R6Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90MeV·cm2/mg) LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Ceramicpackage Lightweight Surfacemount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplication

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RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(Low-OhmicTO-254AA)

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RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACE-MOUNT(SMD-2)

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更新时间:2024-6-15 15:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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