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IRHMS63260

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)

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IRF

Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SupIR-SMD™) 200V, 56A, N-channel, R6 Technology

Features  Single event effect (SEE) hardened (up to LET of 90 MeV·cm2/mg)  Low RDS(on)  Low total gate charge  Simple drive requirements  Hermetically sealed  Ceramic package  Light weight  Surface mount  ESD rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020 Potential Application

IRF

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

文件:141 Kbytes Page:8 Pages

IRF

IRHMS63260产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRHMS63260

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE(Low-Ohmic TO-254AA)

更新时间:2025-8-10 10:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
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8000
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23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IR/美国国际整流
23+
TO-254AA
5000
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