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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NCP360MUTXG	USB Positive Overvoltage Protection Controller with Internal PMOS FET and Status FLAG 文件：351.06 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP360MUTXG	封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC CTLR USB POS OVP FET 6-UDFN 电路保护 TVS - 混合技术	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
360	Celeron D Processor 文件：2.07013 Mbytes Page：95 Pages	Intel 英特尔	Intel
360	Double Coated Tape with Quick Bonding Adhesive 360 文件：40.21 Kbytes Page：4 Pages	3M	3M
360	Programmable XO 文件：145.97 Kbytes Page：3 Pages	OSCILENT	OSCILENT
360	COMPACT, LOW-PROFILE SOLUTION FOR A BROAD RANGE OF FILTRATION APPLICATIONS 文件：255.63 Kbytes Page：2 Pages	PENTAIR 滨特尔	PENTAIR
360ACDR	360W - Single Output AC-DC Converter - Universal Input - Isolated & Regulated Industrial DIN Rail Power Supply 文件：2.76774 Mbytes Page：6 Pages	GAPTEC	GAPTEC

NCP360MUTXG供应商更多...

更新时间：2025-11-1 11:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NCP360SNAET1G	ON/安森美	23+		23552	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市纳立科技有限公司	NCP360SNAET1G		三年内		1983	只做原装正品	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NCP360SNAET1G	ON/安森美	2447	SOT23-5	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NCP360SNAET1G	ON/安森美	23+	SOT23-5	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市正纳电子有限公司	NCP360SNAET1G	ON(安森美)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	NCP360SNAET1G	ON/安森美	2022+		6280	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	NCP360SNAET1G	ON(安森美)	23+	标准封装	8000	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NCP360SNAET1G	ON/安森美	2018+		6280		询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NCP360SNAET1G	ON/安森美	24+		65200		询价
深圳市一线半导体有限公司	NCP360SNAET1G	ONS	24+		3000		询价

NCP4318ALLDR2G
onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制
2023-11-18
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26