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NCP345价格
参考价格:¥1.5600
型号:NCP345SNT1 品牌:ON 备注:这里有NCP345多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP345批发/采购报价,NCP345行情走势销售排行榜,NCP345报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NCP345 | Overvoltage Protection IC 文件:66.33 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NCP345 | Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic 文件:216.85 Kbytes Page:2 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NCP345 | Overvoltage Protection IC 文件:57.36 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NCP345 | 过电压保护电路(6.85 V 阈值) | ONSEMI 安森美半导体 | ||
Overvoltage Protection IC 文件:66.33 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Overvoltage Protection IC 文件:66.33 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Overvoltage Protection IC 文件:57.36 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 包装:卷带(TR) 描述:IC OVERVOLT PROT CTRLR 5TSOP 电路保护 TVS - 混合技术 | ONSEMI 安森美半导体 | |||
封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 包装:卷带(TR) 描述:IC DETECTOR OVER VOLTAGE 5TSOP 电路保护 TVS - 混合技术 | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Overvoltage Protection IC 文件:57.36 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Overvoltage Protection IC 文件:66.33 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
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Celeron D Processor 文件:1.75778 Mbytes Page:82 Pages | Intel 英特尔 | |||
MINIATURE, IN-LINE, SMA CONNECTORS 文件:148.38 Kbytes Page:2 Pages | FILTRONIC |
NCP345产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP345
- 功能描述
电源管理IC开发工具 ANA NCP345 EVAL BD
- RoHS
否
- 制造商
Maxim Integrated
- 产品
Evaluation Kits
- 类型
Battery Management
- 工具用于评估
MAX17710GB
- 输出电压
1.8 V
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SOT-153 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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ON |
22+ |
SOT-153 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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ON |
25+ |
SOT23 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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ON |
23+ |
SOT-153 |
351 |
正规渠道,只有原装! |
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NCP345 |
2169 |
2169 |
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ON |
2025+ |
6-TSOP |
32560 |
原装优势绝对有货 |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
ON |
17+ |
SOT23-5 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
ON |
23+ |
SOT23-5 |
6000 |
原装正品,假一罚十 |
NCP345规格书下载地址
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2020-9-22NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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