位置：首页 > IC中文资料第8456页 > NCP3163PWR2G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCP3163PWR2G | 3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50−300 kHz Switching Regulator 文件：264.77 Kbytes Page：20 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NCP3163PWR2G | 3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50−300 kHz Switching Regulator 文件：210.24 Kbytes Page：20 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NCP3163PWR2G | 3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50-300 kHz Switching Regulator 文件：254.17 Kbytes Page：20 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NCP3163PWR2G | 封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 功能：升压，降压 包装：卷带（TR） 描述：IC REG BUCK BST ADJ 3.4A 16SOIC 集成电路（IC） 稳压器 - DC-DC 开关稳压器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NCP3163PWR2G | 封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 功能：升压，降压 包装：管件 描述：IC REG BUCK BST ADJ 3.4A 16SOIC 集成电路（IC） DC DC 开关稳压器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50-300 kHz Switching Regulator 文件：254.17 Kbytes Page：20 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50−300 kHz Switching Regulator 文件：210.24 Kbytes Page：20 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NCP3163PWR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP3163PWR2G
- 功能描述
直流/直流开关调节器 ANA 2.5 A STEP UP/ DWN/INV
- RoHS
否
- 制造商
International Rectifier
- 最大输入电压
21 V
- 开关频率
1.5 MHz
- 输出电压
0.5 V to 0.86 V
- 输出电流
4 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PQFN 4 x 5
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOP16 |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价NCP3163PWR2G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON |
24+/25+ |
3333 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ON |
17+ |
SOIC-16W |
9800 |
只做全新进口原装,现货库存 |
|||
ON |
22+ |
NA |
6039 |
原装正品支持实单 |
|||
ONSEMI |
2450+ |
SOP-16 |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOP16 |
6000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
|||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
ON |
25+23+ |
SOP16 |
75826 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
onsemi |
25+ |
16-SOIC(0.295 7.50mm 宽)裸 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
NCP3163PWR2G规格书下载地址
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2021-11-25NCP302LSN43T1G原装现货
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2019-7-29NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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