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NCE30P06J	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
MTB30P06	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
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30P06	P-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
MSD30P06	P-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：544.27 Kbytes Page：5 Pages	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司
MTB30P06KFP	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：414.85 Kbytes Page：8 Pages	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更新时间：2024-6-7 20:17:00

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