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NCE20NP1006S

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE20NP1006Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshifted highsideswitch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=20V,ID=10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER
更新时间:2025-8-3 12:00:00
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