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NCE20NP1006S

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE20NP1006S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 20V,ID =10A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE20NP1006S

Complementary MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-9-25 23:01:00
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