NCE01P13K

时间:2021-10-16 16:32:00

属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ 10V,16A 功率(Pd) 40W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V 250μA

属性 参数值

商品目录 场效应管(MOSFET)

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流(Id) 13A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ 10V,16A

功率(Pd) 40W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V 250μA

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NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

新洁能无锡新洁能股份有限公司

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

新洁能无锡新洁能股份有限公司

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

新洁能无锡新洁能股份有限公司

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

2025-9-25 20:00:00
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