型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NAND02GR3B2D

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

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NUMONYX

封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 包装:托盘 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

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NUMONYX

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Micron

美光

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NUMONYX

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

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NUMONYX

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Micron

美光

封装/外壳:63-TFBGA 包装:管件 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

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NUMONYX

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND02GR3B2D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND02GR3B2D

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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