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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NAND02GR3B2DZA6E | 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories 文件：1.81088 Mbytes Page：69 Pages | NUMONYX |   | |
NAND02GR3B2DZA6E | 封装/外壳：63-TFBGA 包装：管件 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
NAND02GR3B2DZA6E | IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA | Micron 美光 | | |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories 文件：1.81088 Mbytes Page：69 Pages | NUMONYX | |
NAND02GR3B2DZA6E产品属性
- 类型
描述
- 型号
NAND02GR3B2DZA6E
- 功能描述
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 产品变化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 标准包装
136
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步，DDR II
- 存储容量
18M（1M x 18）
- 速度
200MHz
- 接口
并联
- 电源电压
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
165-TBGA
- 供应商设备封装
165-CABGA（13x15）
- 包装
托盘
- 其它名称
71P71804S200BQ
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron |
24+ |
BGA63 |
33620 |
一级代理/放心购买 |
|||
MICRON/美光 |
23+ |
BGA63 |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
|||
ST/意法 |
25+ |
TFBGA-63FLASHNAND2Gb |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
micron(镁光) |
24+ |
63-TFBGA |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
MICRON/美光 |
24+ |
BGA |
60000 |
全新原装现货 |
|||
STM |
24+ |
1056 |
|||||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
Micron |
24+ |
BGA63 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
ST/意法 |
24+ |
BGA63 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST |
24+ |
BGA |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
NAND02GR3B2DZA6E规格书下载地址
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