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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NAND01GW3B2BN6E | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 | NUMONYX | ||
NAND01GW3B2BN6E | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件:711.53 Kbytes Page:62 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | ||
NAND01GW3B2BN6E | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件:1.34162 Mbytes Page:60 Pages | NUMONYX | ||
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件:631.49 Kbytes Page:64 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
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NAND01GW3B2BN6E产品属性
- 类型
描述
- 型号
NAND01GW3B2BN6E
- 功能描述
闪存 NAND & S.MEDIA FLASH
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 数据总线宽度
1 bit
- 存储类型
Flash
- 存储容量
2 MB
- 结构
256 K x 8
- 接口类型
SPI
- 电源电压-最大
3.6 V
- 电源电压-最小
2.3 V
- 最大工作电流
15 mA
- 工作温度
- 40 C to + 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法) |
2511 |
8484 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST/意法 |
25+ |
TSOP |
13800 |
原装,请咨询 |
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STM |
24+ |
TSOP48 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ST/意法 |
24+ |
TSOP |
35 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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ST/意法 |
25+ |
TSSOP48 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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st |
23+ |
TSOP48 |
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主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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ST |
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TSOP |
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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ST/意法 |
23+ |
TSOP48 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TSOP48 |
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只做原厂原装,认准宝芯创配单专家 |
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ST |
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原厂封装 |
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