型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NAND01GW3B2BN6E

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

NAND01GW3B2BN6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes Page:62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND01GW3B2BN6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes Page:60 Pages

NUMONYX

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:631.49 Kbytes Page:64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes Page:60 Pages

NUMONYX

NAND01GW3B2BN6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GW3B2BN6E

  • 功能描述

    闪存 NAND & S.MEDIA FLASH

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-4 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
2511
8484
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST/意法
25+
TSOP
13800
原装,请咨询
STM
24+
TSOP48
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ST/意法
24+
TSOP
35
只做原厂渠道 可追溯货源
ST/意法
25+
TSSOP48
880000
明嘉莱只做原装正品现货
st
23+
TSOP48
28500
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优
ST
2447
TSOP
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST/意法
23+
TSOP48
50000
全新原装正品现货,支持订货
MICRON
17+
TSOP48
13491
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家
ST
24+
原厂封装
65250
支持样品,原装现货,提供技术支持!

NAND01GW3B2BN6E数据表相关新闻