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NAND01GW3B2BN6E中文资料
NAND01GW3B2BN6E数据手册规格书PDF详情
Features
■ NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
■ Supply voltage: 1.8 V/3 V
■ Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
■ Block size
– x8 device: (128K + 4K spare) bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) words
■ Page read/program
– Random access: 25 μs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 μs (typ)
■ Copy back program mode
■ Cache read mode
■ Fast block erase: 2 ms (typ)
■ Status register
■ Electronic signature
■ Chip enable ‘don’t care’
■ Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID)
– Non-volatile protection option
■ Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
■ ONFI 1.0 support
– Cache read
– Read signature
– Read
■ Data integrity
– 100,000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
■ RoHS compliant packages
■ Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
NAND01GW3B2BN6E产品属性
- 类型
描述
- 型号
NAND01GW3B2BN6E
- 功能描述
闪存 NAND & S.MEDIA FLASH
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 数据总线宽度
1 bit
- 存储类型
Flash
- 存储容量
2 MB
- 结构
256 K x 8
- 接口类型
SPI
- 电源电压-最大
3.6 V
- 电源电压-最小
2.3 V
- 最大工作电流
15 mA
- 工作温度
- 40 C to + 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NUMONYX |
2015+ |
SMD |
19998 |
专业代理原装现货,特价热卖! |
|||
ST/意法 |
25+ |
TSOP |
13800 |
原装,请咨询 |
|||
st |
23+ |
TSOP48 |
28500 |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TSOP |
35 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TSOP |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
|||
ST |
2021+ |
TSOP |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
ST |
24+ |
TSOP-48 |
9500 |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
|||
ST |
2430+ |
TSSOP48 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
ST |
24+ |
TSOP |
6000 |
一般纳税人资质,只做原装正品优势。 |
|||
ST |
23+ |
TSOP48 |
1698 |
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- 861111484011
- 861111484012
- CXM-9-40-70-36-AA40-F5-2
- CXM-9-40-70-36-AA40-F5-3
- CXM-9-40-70-36-AC40-F5-3
- GSF1.2201.01
- GSF1.2202.31
- LP3981ILDX-2.83/NOPB
- MAX20340
- MAX20340_V01
- MAX20340EWL+
- MAX20340EWL+T
- MAX20342
- MAX20342EWG
- MAX20343
- NAND01GW3B2BN5E
- NAND01GW3B2BN5F
- NAND01GW3B2BN6F
- NAND01GW3B2BZA5E
- P6SMB82CA
- SPX3819R2-L-1-2/TR
- SPX3819R2-L-1-8/TR
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
numonyx
Numonyx是一家曾经存在的存储技术公司,于2008年由英特尔(Intel)和STMicroelectronics共同创立。Numonyx专注于非易失性存储器(NVM)技术和闪存存储器技术,为客户提供各种存储解决方案和产品。 Numonyx的产品包括闪存存储器、嵌入式存储器、非易失性存储器等,在计算机、消费电子、通信、汽车等领域得到广泛应用。公司致力于技术创新与研发,不断提升产品性能、可靠性和创新性,以满足客户不断增长的需求。 2010年,美国存储技术公司Micron Technology收购了Numonyx,并将其整合为Micron的一部分。这一收购使Micron得以拓展其存储技术领域的产