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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NAND01GR3B2BN6E | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 | NUMONYX |   | |
NAND01GR3B2BN6E | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
NAND01GR3B2BN6E | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages | NUMONYX | | |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages | NUMONYX | |
NAND01GR3B2BN6E产品属性
- 类型
描述
- 型号
NAND01GR3B2BN6E
- 制造商
NUMONYX
- 制造商全称
Numonyx B.V
- 功能描述
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2223+ |
VFBGA63 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
ST |
24+ |
BGA |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
ST |
22+ |
VFBGA63 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
STM |
23+ |
BGA |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
Numonyx/STMi |
23+ |
63-VFBGA |
65480 |
||||
ST/意法 |
2450+ |
BGA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST |
26+ |
标准封装 |
890000 |
一级总代理商原厂原装大批量现货
一站式服务 |
|||
ST |
25+ |
BGA63 |
8 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
NAND01GR3B2BN6E规格书下载地址
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