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N-channelMOSFET600V,2A,4.4Ω

Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±2.0

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-4-30 17:52:01
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