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芯片资料

精确

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Description

The N6003NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

RDS (on) = 4.4Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

• Low input capacitance

Ciss = 400pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V)

• High current

ID(DC) = ±2.0 A

• RoHS Compliant

N6003NZ-S17-AY供应商...

更新时间：2025-10-18 9:11:00

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