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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description The ACE4922B is the Dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices

ACE

Surface Mount High Current Power Inductors

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API

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:644.51 Kbytes Page:7 Pages

ACE

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:837.78 Kbytes Page:6 Pages

ACE

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.53215 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-26 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VB
25+
SOP8
18578
原装正品,欢迎来电咨询!
N/A
24+
DIP
990000
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ACE
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ACE
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VBSEMI/台湾微碧
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全新原装现货
VBSEMI/台湾微碧
23+
SOP-8
50000
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