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位置：首页 > IC中文资料第6502页 > MWI35-12A7T

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MWI35-12A7T

IGBTModules

IGBTModules Sixpack ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●switchingfrequencyupto30kHz ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparall

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
MWI35-12A7T

封装/外壳：E2 包装：盒 描述：IGBT MODULE 1200V 62A 280W E2 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
MWI35-12A7

IGBTModules

IGBTModules Sixpack ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●switchingfrequencyupto30kHz ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparall

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
MWI35-12A7

IGBTModules

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage ·Lowswitchinglosses ·Highshortcircuitcapability ·Positivetemperaturecoefficientforeasy paralleling ·MOSinput,voltagecontrolled ·Ultrafastfreewheelingdiodes APPLICATIONS ·ACmotorcontrol ·ACservoandrobotdrives ·Powersupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MUBW35-12A7

Converter-Brake-InverterModule(CBI2)

Features ●Highlevelofintegration-onlyonepowersemiconductormodulerequiredforthewholedrive ●FastrectifierdiodesforenhancedEMCbehaviour ●NPTIGBTtechnologywithlowsaturationvoltage,lowswitchinglosses,highRBSOAandshortcircuitruggedness ●Epitaxialfreewheeling

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

MWI35-12A7T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MWI35-12A7T

  • 功能描述

    IGBT 模块 35 Amps 1200V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

MWI35-12A7T供应商更多...

更新时间：2025-5-17 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MWI35-12E7
IXYS
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module
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