MWT-22Q4原装现货

时间:2019-12-4 20:23:00

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MWT-22Q4 : 高功率,高线性度的封装FET。公司优势库存。

特征

?非常适合DC-4000 MHz大功率/高线性度应用

?出色的射频性能:

33 dBm P1分贝

47 dBm IP3

16 MHz SSG @ 2000 MHz

40%PAE

?MTTF> 100年@通道温度150°C

?QFN 4x4 mm表面贴装封装

描述

MwT-22Q4是采用低成本QFN封装的高线性度GaAs MESFET器件,非常适合于高功率/高线性度

应用程序。这些应用包括2G,2.5G和3G无线基础架构标准,例如GSM,TDMA,cdma,Edge,

cdma2000,WCDMA,TD-SCDMA和UMTS基站。该产品也是高数据速率无线局域网基础设施的理想选择

应用,例如高QAM速率的802.11 WiFi和802.16 WiMax基站以及AP(接入点)。另外,商品

可用于点对点微波通信链接。 MwT-22Q4的三阶拦截性能非常出色,

通常比1 dB功率增益压缩点高14 dB。该芯片是使用MwT专有的高线性度设备生产的

可靠的金属系统进行设计和加工。所有芯片均使用MwT的专利“ Diamond-Like Carbon”工艺钝化,以提高耐用性。

(MWt)成立于1982年,由具有广泛经验的砷化镓(GaAs)器件设计和制造的技术负责人。由于一家工厂占地35,000平方英尺,该公司的主要资产包括其GaAs半导体工厂和一个混合芯片和线微波集成电路(HMIC)制造设施。垂直制造和产品强度为微波元件市场提供了不寻常的?易用性和机会。

今天,MWt是一家领先的美国制造商,生产分立砷化镓二极管和晶体管(FET、PHEMT和Gunn Diodes)。早期着重于设备可靠性的工作导致了专有的金属化系统,使MWt的设备不受氢污染,这是目前高可靠性工业非常关注的项目。

这些设备采用专有的epi材料和四分之一微米的凹进栅工艺技术,产生高度线性(1WP-1dB无线放大器中的+48 dBmIP3)和低相位噪声(17.5GHz DRO中的-125 dBc@100 kHz偏移),功率输出从10毫瓦到5瓦不等。这些设备作为芯片或封装出售,?广泛用于10 MHz至40 GHz信号的放大?传输或接收无线基础设施系统、工业射频应用以及各种国防和航天电子领域的信息

MGA-333840-02

MGA-242740-02

MGA-444940-02

MGA-445343-99

MGA-495940-02

MGA-515844-99

MGA-718540-HP3

MGA-718544-HP3

MwT-GK-C

MwT-GK-P

MwT-GX-C

MwT-GX-P

MwT-0204S/Z-LN600

MwT-0307S/Z-LN600

MwT-0513S/Z-LN300

MwT-0718S/Z-LN300

MwT0206-11P2

MwT0206-1G1

MwT0206-1G2

MwT0206-2P2

MwT-1789

MWT-1789SB

MWt-A989

MWT-17Q3

MWT-22Q4

2025-8-10 11:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEHCO
2023+
MODULE
565
主打螺丝模块系列
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23+
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