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厂家型号	MTP2N60E
文件大小	1086.66Kbytes
页面数量	9页
功能描述	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBSEMI

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

MTP2N60E供应商...

更新时间：2025-11-1 16:31:00

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