型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MTP23P06VG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:955.83 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTP23P06VG

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

文件:74.38 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

Motorola

摩托罗拉

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components

Motorola

摩托罗拉

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components

Motorola

摩托罗拉

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.12Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

Motorola

摩托罗拉

MTP23P06VG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP23P06VG

  • 功能描述

    MOSFET 60V 23A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
1600
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ONS
449
3TO-220AB
600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
TO-220
7850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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23+
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356
专做原装正品,假一罚百!
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!?
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO220
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
ON
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

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    类型 描述 选取全部项目 类别 电缆,电线 - 管理 电缆扎带 - 支座和附件 制造商 Panduit Corp 系列 MTP 零件状态 有源 类型 多开 安装类型 螺钉 - #6 大小/尺寸 4.25 长 x 0.50 宽 x 0.12 高(107.9mm x 12.7mm x 3.0mm) 配套使用产品/相关产品 M,I,S 束带 材料 尼龙 颜色 天然

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