型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MTP23P06VG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

MTP23P06VG

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

文件:74.38 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

MOTOROLA

摩托罗拉

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components

MOTOROLA

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TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

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TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th

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MTP23P06VG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP23P06VG

  • 功能描述

    MOSFET 60V 23A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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25+23+
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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2023+
3TO-220AB
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

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