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MTM35N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

60VN-ChannelPowerMosfet

Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)

UMW

60VN-ChannelTrenchMOSFET

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SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:973.99 Kbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:897.44 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:1.31383 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-16 18:37:00
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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