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MTD6N20ET4G-TP

N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

TECHPUBLIC

台舟电子

Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK

文件:90.4 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 10V DESCRIPTION ·motor drive, ·DC-DC converter, ·power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-2-3 22:59:00
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