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MTD6N20ET4G价格
参考价格：￥2.6341
型号：MTD6N20ET4G 品牌：ON 备注：这里有MTD6N20ET4G多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MTD6N20ET4G批发/采购报价，MTD6N20ET4G行情走势销售排行榜，MTD6N20ET4G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MTD6N20ET4G | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 10V DESCRIPTION ·motor drive, ·DC-DC converter, ·power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
MTD6N20ET4G | Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK 文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK 文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V. | TECHPUBLIC 台舟电子 | |
MTD6N20ET4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MTD6N20ET4G
- 功能描述
MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
NA |
13650 |
原装正品,假一罚百! |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
880 |
||||
ON Semiconductor |
25+ |
34 |
公司优势库存 热卖中! |
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ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
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ON(安森美) |
23+ |
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公司只做原装正品,假一赔十 |
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ON/安森美 |
14+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
TO-252 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON |
25+23+ |
TO252 |
74022 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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ON |
22+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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ON/安森美 |
2223+ |
TO-252 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
MTD6N20ET4G规格书下载地址
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2025-9-26MTFC16GAPALBH-AAT 只做原装
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2021-10-13MTD6P10ET4G
MTD6P10ET4G,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-4MTD6P10E
MTD6P10E，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-28
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