MTD6N20ET4价格

参考价格:¥2.6341

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MTD6N20ET4

Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK

文件:90.4 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @ VGS= 10V DESCRIPTION ·motor drive, ·DC-DC converter, ·power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

TECHPUBLIC

台舟电子

Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N?묬hannel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

MTD6N20ET4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTD6N20ET4

  • 功能描述

    MOSFET 200V 6A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 10:53:00
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