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Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM

General Description The 256Mb Mobile DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM. On the x16 device, each of the 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 512 columns by 16 bits. On the x32 de

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封装/外壳:60-VFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60VFBGA 集成电路(IC) 存储器

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MOBILE DDR 256M X16 VFBGA

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Mobile DDR SDRAM MT46H16M16LF ??4 Meg x 16 x 4 banks MT46H8M32LF/LG ??2 Meg x 32 x 4 banks

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Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM

General Description The 256Mb Mobile DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM. On the x16 device, each of the 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 512 columns by 16 bits. On the x32 de

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MT46H16M16LFBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT46H16M16LFBF

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    DRAM CHIP DDR SDRAM 256MBIT 1.8V 60VFBGA - Trays

更新时间:2025-12-29 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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