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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MSR2N2369AUB

RadHardNPNSiliconHighSpeedSwitchingTransistor

DESCRIPTION ThisRHAlevelNPNswitchingtransistor2N2369AdeviceinaUBandUBCpackageisidealto drivemanyhigh-reliabilityapplications.ThisdeviceisconstructedandscreenedtoaJANSR performancelevelwithradiationtestmethod1019waferlotacceptanceconductedonalldie lots.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MSR2N2369AUB

封装/外壳：3-SMD，无引线 包装：散装 描述：RH SMALL-SIGNAL BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
MSR2N2369AUBC

RadHardNPNSiliconHighSpeedSwitchingTransistor

DESCRIPTION ThisRHAlevelNPNswitchingtransistor2N2369AdeviceinaUBandUBCpackageisidealto drivemanyhigh-reliabilityapplications.ThisdeviceisconstructedandscreenedtoaJANSR performancelevelwithradiationtestmethod1019waferlotacceptanceconductedonalldie lots.

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MSR2N2369AUBC

封装/外壳：3-SMD，无引线 包装：散装 描述：RH SMALL-SIGNAL BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N2369

SwitchingTransistors

SwitchingTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
2N2369

NPNswitchingtransistor

DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaTO-18metalpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.15V). APPLICATIONS •High-speedswitching •VHFamplification.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
2N2369

HIGH-FREQUENCYSATURATEDSWITCH

DESCRIPTION The2N2369isasiliconplanarepitaxialNPNtransistorinJedecTO-18metalcase.Itisdesignedspecificallyforhigh-speedsaturatedswitchingapplicationsatcurrentlevelsfrom100µAto100mA.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2N2369

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS

APPLICATIONS 2N2369/AareNPNSiliconHighSpeedSaturatedSwitching,TransistorsWith LowPower&HighSpeedSwitchingApplications.

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N2369

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage.

文件：14.59 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

MSR2N2369AUB供应商更多...

更新时间：2024-5-28 16:56:00
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