| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi | AOSMD 万国半导体 |   | ||
20V N-Channel MOSFET 文件：375.26 Kbytes Page：5 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black 文件：89.51 Kbytes Page：2 Pages | SCHNEIDER 施耐德 | | ||
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High- performance 5.1ch electronic volume 文件：39.84 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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