型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AON3814

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi

AOSMD

万国半导体

AON3814

20V N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

AON3814

低压MOSFET (12V - 30V)

AOS

美国万代

20V N-Channel MOSFET

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万国半导体

NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black

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SCHNEIDER

施耐德

MonolithicICs

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ROHM

罗姆

High- performance 5.1ch electronic volume

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ROHM

罗姆

AON3814产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON3814

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 6A DFN3X3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
22+
DFN
100000
代理渠道/只做原装/可含税
AOS/万代
24+
NA/
683
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
AOS/万代
25+
DFN33
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DFN3x3-8L
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3000
AOS/万代
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DFN3X3
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AOS/万代
21+
DFN
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
AOS/万代
20+
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880000
明嘉莱只做原装正品现货

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