型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AON3814

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi

AOSMD

万国半导体

AON3814

20V N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

AON3814

低压MOSFET (12V - 30V)

AOS

美国万代

20V N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black

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SCHNEIDER

施耐德

MonolithicICs

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ROHM

罗姆

High- performance 5.1ch electronic volume

文件:39.84 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

AON3814产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON3814

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 6A DFN3X3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-1 14:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS
10+
DFN-8
2115
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
AOS
18+
DFN-8
1588
原装现货、工厂库存
AOS
24+
DFN8
9750
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
AOS/万代
20+
DFN3x3
120000
原装正品 可含税交易
AOS/万代
2021+
DFN8
9000
原装现货,随时欢迎询价
AO
25+
SOP-8
3000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
AOS/万代
23+
DFN33
24190
原装正品代理渠道价格优势
AOS
19+
TSSOP-8
18000
AOS
23+
DFN8
15000
全新原装正品现货,支持订货
AOS
2025+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网

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