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AON3814中文资料

厂家型号

AON3814

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4

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 20V 6A DFN3X3

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AON3814数据手册规格书PDF详情

General Description

The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AON3814 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

VDS (V) = 20V

ID = 6A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 18.5mΩ (VGS = 4V)

RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON)

ESD Protected

AON3814产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON3814

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 6A DFN3X3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-4 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS
19+
TSSOP-8
18000
AOS美国万代
24+
DFN3x3
189008
专营AOS美国万代 优势现货 AOS全系列 场效应管
AOS
18+
DFN-8
1588
原装现货、工厂库存
AOS/万代
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23+
DFN
6842
原厂原装正品