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900MHzGSMCELLULARINTEGRATEDPOWERAMPLIFIERGaAsMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT

TheMRFICLine900MHzGaAsIntegratedPowerAmplifier ThisintegratedcircuitisintendedforGSMclassIVhandsets.Thedeviceisspecifiedfor2.8wattsoutputpowerand48minimumpoweraddedefficiencyunderGSMsignalconditionsat4.8Voltsupplyvoltage.Toachievethissuperiorperform

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

Single-EndedCordsets

Basicfeatures ApplicationOperatingvoltage Approval/Conformity CE cULus EAC WEEE

BalluffBalluff Korea Ltd.

巴鲁夫巴鲁夫自动化(上海)有限公司

Balluff

L&SBANDGaAsFET[SMDnon-matched]

DESCRIPTION TheMGF0913AGaAsFETwithanN-channelschottkyGate,isdesignedforuseUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=31dBm(TYP.)@f=1.9GHz,Pin=18dBm Highpowergain Gp=13dB(TYP.)@f=1.9GHz Highpoweraddedefficiency nadd=48(TYP.

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

ComputerCable

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GENERALGeneral Electric

通用电气公司美国通用电气公司

GENERAL

High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage)

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MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi
更新时间:2024-6-22 8:56:01
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