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MRFIC0913

900 MHz GSM CELLULAR INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

The MRFIC Line 900 MHz GaAs Integrated Power Amplifier This integrated circuit is intended for GSM class IV handsets. The device is specified for 2.8 watts output power and 48 minimum power added efficiency under GSM signal conditions at 4.8 Volt supply voltage. To achieve this superior perform

MOTOROLA

摩托罗拉

L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

DESCRIPTION The MGF0913A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers. FEATURES High output power Po=31dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=18dBm High power gain Gp=13dB(TYP.) @f=1.9GHz High power added efficiency nadd=48(TYP.

MITSUBISHI

三菱电机

High-power GaAs FET (small signal gain stage)

文件:113.35 Kbytes Page:4 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output

文件:89.09 Kbytes Page:2 Pages

RECOM

1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output

文件:89.09 Kbytes Page:2 Pages

RECOM

MRFIC0913产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFIC0913

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    900 MHz GSM CELLULAR INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

更新时间:2026-8-2 23:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
NI-650H-4
8900
全新原装现货
恩XP
26+
NI-650H-4
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
恩XP
21+
NI-650H-4
8080
只做原装,质量保证
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182881
一级代理,原装现货
MICREL/麦瑞
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TSOP
780
本站现货库存
ON/安森美
24+
SOT-23
9600
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MOTOROLA/摩托罗拉
2450+
SSOP16
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
恩XP
2021+
NI-650H-4
6900
原厂原装,假一罚十
恩XP
23+
NI-650H-4
6900
全新原装正品现货,支持订货

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